Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/991
Title: Nghiên cứu, chế tạo điện cực nhạy khí của cảm biến điện hóa từ vật liệu nanô Perovskite LaMO3 (M = Mn, Fe, Ni, Co)
Authors: Hoàng Nam, Nhật
Phạm Đức, Thắng
Nguyễn Đức, Thọ
Keywords: điện cực nhạy khí
Issue Date: Dec-2017
Abstract: • Hệ cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 thể hiện độ nhạy và chọn lọc cao với khí NO2 so với các khí NO, CO, C3H8 và CH4. Theo chiều tăng của nhiệt độ nung ủ, sự thay đổi điện áp V với khí NO2 của hệ cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 giảm nhanh tại nhiệt độ nung ủ Ts = 900 oC, sau đó tăng mạnh tới nhiệt độ Ts = 1300 oC và đạt cực đại tại nhiệt độ Ts = 1200 oC. Các đặc trưng thay đổi điện áp và độ chọn lọc có thể được giải thích là do quá trình nung ủ gây ra sự thay đổi các thông số như vi cấu trúc, độ xốp, hình thái và kích thước hạt của lớp oxit kim loại LaFeO3 và vùng biên của YSZ/oxit kim loại. • Cảm biến điện hóa dựa trên điện cực LaFeO3 có độ chọn lọc và độ nhạy cao nhất với khí NO2 khi so sánh với các điện cực oxit perovskite sử dụng các kim loại chuyển tiếp 3d khác (Mn, Co và Ni). Đặc tính này của cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 có liên quan tới tương tác khí xúc tác hồi phục và độ dẫn điện thấp của oxit LaFeO3. • Hệ cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 với nhiệt độ nung ủ cao Ts = 1200 oC có độ nhạy đáng kể với khí NO2 ngay cả khi hoạt động ở nhiệt độ cao (650 oC), điều này là một ưu điểm cho ứng dụng trong môi trường có nhiệt độ cao. • Các kết quả về nhạy khí NO2, NO, CO, C3H8 và CH4 của cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaMO3 (với M = Mn, Fe, Co và Ni) khi được ủ tại nhiệt độ Ts = 1200 oC cho thấy liên quan chính đến kim loại chuyển tiếp 3d như về hóa trị, hoạt tính xúc tác khí, tính tương tác khí thuận nghịch và độ dẫn điện.
URI: http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/991
Appears in Collections:Luận án Khoa Vật lý kỹ thuật và Công nghệ Nano

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Luan an tien si-NguyenDucTho.pdf4.19 MBAdobe PDFView/Open
Tom tat Luan an tien si-NguyenDucTho.pdf944.64 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.