Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1164
Title: NGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH PHA VÀ CHUYỂN PHA DỊ THƯỜNG TRONG MẠNG NANO
Authors: Bạch, Thành Công
Đặng, Đình Long
Nguyễn, Thị Kim Oanh
Keywords: Vật liệu và linh kiện nano
Issue Date: 2021
Abstract: 1. Đã giải thích quá trình từ hóa loại I và bước nhảy của đường cong từ trở trong các vật liệu perovskite Mangan bằng mô hình Ising mất trật tự có tích phân trao đổi sắt từ hoặc phản sắt từ thăng giáng với xác suất và độ lớn khác nhau. Bản chất của hiện tượng là sự định hướng lại đột ngột các đám spin AF, sự mở rộng các đám spin FM trong trường ngoài ở nhiệt độ xác định. 2. Sử dụng mô hình Ising có cạnh tranh tương tác cho mạng Shastry – Sutherland và chỉ ra vai trò của cường độ tương tác giữa các vị trí NN tác động lên sự hình thành và ổn định của bước nhảy từ chính m = 1/3. Đã chỉ ra được các điều kiện và yếu tố ảnh hưởng đến quá trình phát sinh các bước nhảy từ phân số. Đó là khi cường độ tương tác J/J’ = 1 với xác suất p và thăng giáng ∆ lớn tương ứng tương tác trao đổi AF giữa các vị trí NNN chiếm ưu thế so với tương tác AF trong các vị trí NN, chuỗi các bước nhảy từ ngày càng ổn định hơn. Lý thuyết này góp phần làm sáng tỏ cơ chế hình thành các bước nhảy nhỏ trong vật liệu tetraboxit đất hiếm RB4. 3. Tìm thấy ba pha tinh thể xuất hiện ở các mật độ ρ = 1/3, 1/2 và 2/3 trong mô hình hạt boson lõi cứng dưới tác dụng của cường độ tương tác NN và điện thế ghim tuần hoàn và ở các mật độ tương ứng ρ = 1/2, 1, 3/2 trong mô hình boson lõi mềm khi điện thế ghim và cường độ tương tác trên cùng một vị trí đủ lớn. Khảo sát đường cong (ρ,μ) và các tham số trật tự cho thấy quá trình chuyển pha từ trạng thái SF sang trạng thái CDW xảy ra trong mô hình.
URI: http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1164
Appears in Collections:Luận án Khoa Vật lý kỹ thuật và Công nghệ Nano

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Luận án - N.T.K.Oanh.pdf2.85 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.