Please use this identifier to cite or link to this item: http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1096
Title: Nghiên cứu, thiết kế và chế tạo thiết bị từ kế vector độ nhạy nanoTesla dựa trên vật liệu sắt từ-sắt điện dạng dãy cấu trúc micro-nano phục vụ đo vẽ bản đồ từ trường trái đất
Authors: Đỗ, Thị Hương Giang
Nguyễn, Việt Hùng
Keywords: Vật lý kỹ thuật
Issue Date: 2020
Abstract: Tóm tắt các kết quả của luận văn:  Mô phòng hiệu ứng dị hướng hình dạng trên vật liệu sắt từ và mật độ tập trung từ thông trên hai cấu hình vật liệu sắt từ khác nhau là cấu hình dạng hai nan tách rời và hai nan không tách rời. Đánh giá kết quả mô phỏng cho thấy cấu hình hai nan không tách rời có mật độ từ trung tập trung là cao hơn  Khảo sát tính chất từ, cấu trúc bề mặt, độ dày, thành phần vật liệu của băng từ FeSiC thương mại. Ảnh chụp SEM bề mặt vật liệu cho thấy các hạt có cấu trúc tinh thể kết tinh trên bề mặt vật liệu, vật liệu có độ dày là 21,13 µm. Trong thành phần của vật liệu này có 95,61% là Fe 2,4% là C và 1,99% là Si. Đánh giá đường cong từ hóa của vật liệu cho thấy vật liệu là vật liệu từ mềm, thể hiện hiệu ứng dị hướng hình dạng rõ ràng và độ cảm từ lớn. Vật liệu này có triển vọng trong sản xuất cảm biến từ điện.  Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công cảm biến từ điện dựa trên vật liệu tổ hợp FeSiC/PZT với nhiều cấu hình khác nhau để tiến hành thử nghiệm tăng tín hiệu đầu ra của cảm biến từ điện theo hướng tối ưu cấu hình cảm biến.  Khảo sát cảm biến từ điện với hai cấu hình dạng nan không tách rời và dạng nan tách rời của vật liệu pha từ giao. Kết quả tín hiệu cực đại thu được cho thấy cảm biến có cấu hình nan không tách rời cho tín hiệu cực đại lớn hơn khoảng 3 lần so với cấu hình nan tách rời. Khảo sát này cùng với kết quả của mô phỏng đã kết luận rằng cầu hình cảm biến từ điện dạng nan không tách rời là tối ưu hơn cho tín hiệu lối ra.  Khảo sát tín hiệu cực đại của các cảm biến với cấu hình nan không tách rời với số lượng nan tăng dần từ một đến sáu nan. Kết quả tín hiệu cực đại thu được chothấy cảm biến với cấu hình dạng hai nan không tách rời cho tín hiệu điện áp thu được là lớn nhất. Kết luận rằng đây là cảm biến với cấu hình tối ưu nhất để chế tạo cảm biến từ điện FeSiC/PZT  Ghép các đơn cảm biến với cầu hình tối ưu nhất thành cấu trúc dạng dãy để tạo thành một cảm biến mới với độ phân cực được cải thiện. Kết quả thu được cho thấy tín hiệu điện áp cực đại tăng đáng kể khi tăng số lượng cảm biến ghép vào dãy. Từ đó kết luận rằng phương pháp ghép các đơn cảm biến theo dạng dãy giúp tăng độ phân cực điện và tăng tín hiệu cho cảm biến từ điện  Khảo sát độ nhạy của cảm biến từ điện được ghép theo cấu trúc dạng dãy từ ba đơn cảm biến với cấu hình tối ưu là hai nan không tách rời trong vùng từ trường biến thiên nhỏ. Từ kết quả thu được có thể tính được độ nhạy của cảm biến là 0.94 mV/nT và độ phân giải là 10-1 nanoTesla
URI: http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1096
Appears in Collections:

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Luan van thac si - Nguyen Viet Hung.pdf3.3 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.