DSpace Collection:
http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/37
2024-03-29T07:19:30ZNGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH PHA VÀ CHUYỂN PHA DỊ THƯỜNG TRONG MẠNG NANO
http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1164
Title: NGHIÊN CỨU ĐẶC TÍNH PHA VÀ CHUYỂN PHA DỊ THƯỜNG TRONG MẠNG NANO
Authors: Nguyễn, Thị Kim Oanh
Abstract: 1. Đã giải thích quá trình từ hóa loại I và bước nhảy của đường cong từ trở trong các vật liệu perovskite Mangan bằng mô hình Ising mất trật tự có tích phân trao đổi sắt từ hoặc phản sắt từ thăng giáng với xác suất và độ lớn khác nhau. Bản chất của hiện tượng là sự định hướng lại đột ngột các đám spin AF, sự mở rộng các đám spin FM trong trường ngoài ở nhiệt độ xác định.
2. Sử dụng mô hình Ising có cạnh tranh tương tác cho mạng Shastry – Sutherland và chỉ ra vai trò của cường độ tương tác giữa các vị trí NN tác động lên sự hình thành và ổn định của bước nhảy từ chính m = 1/3. Đã chỉ ra được các điều kiện và yếu tố ảnh hưởng đến quá trình phát sinh các bước nhảy từ phân số. Đó là khi cường độ tương tác J/J’ = 1 với xác suất p và thăng giáng ∆ lớn tương ứng tương tác trao đổi AF giữa các vị trí NNN chiếm ưu thế so với tương tác AF trong các vị trí NN, chuỗi các bước nhảy từ ngày càng ổn định hơn. Lý thuyết này góp phần làm sáng tỏ cơ chế hình thành các bước nhảy nhỏ trong vật liệu tetraboxit đất hiếm RB4.
3. Tìm thấy ba pha tinh thể xuất hiện ở các mật độ ρ = 1/3, 1/2 và 2/3 trong mô hình hạt boson lõi cứng dưới tác dụng của cường độ tương tác NN và điện thế ghim tuần hoàn và ở các mật độ tương ứng ρ = 1/2, 1, 3/2 trong mô hình boson lõi mềm khi điện thế ghim và cường độ tương tác trên cùng một vị trí đủ lớn. Khảo sát đường cong (ρ,μ) và các tham số trật tự cho thấy quá trình chuyển pha từ trạng thái SF sang trạng thái CDW xảy ra trong mô hình.2021-01-01T00:00:00ZNGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN TỪ TRƯỜNG CÓ KÍCH THƯỚC MICRO-NANO DẠNG CẦU WHEATSTONE DỰA TRÊN HIỆU ỨNG TỪ-ĐIỆN TRỞ DỊ HƯỚNG
http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1131
Title: NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN TỪ TRƯỜNG CÓ KÍCH THƯỚC MICRO-NANO DẠNG CẦU WHEATSTONE DỰA TRÊN HIỆU ỨNG TỪ-ĐIỆN TRỞ DỊ HƯỚNG
Authors: Lê Khắc, Quynh
Abstract: 1. Luận án đã mô phỏng tính toán và chuẩn hóa quy trình công nghệ, chuẩn hóa thông số chế tạo màng mỏng, chế tạo cảm biến AMR phù hợp với điều kiện thực tế tại Việt Nam. 2. Đã chế tạo thành công cảm biến AMR dạng WB với các hình thái và kích thước khác nhau từ công nghệ đơn giản đến phức tạp (cảm biến không sử dụng quang khắc-kích thước milimet và cảm biến có sử dụng quang khắc-kích thước micro-milimet và micromet), tất cả các cảm biến tối ưu với các công nghệ khác nhau đều cho độ nhạy cao, đáp ứng được mục đích ứng dụng. 3. Lần đầu tiên trên thế giới công bố hệ cảm biến AMR dạng WB cấu trúc tổ hợp NT-SS, có độ nhạy lớn nhất đạt được 3,06 mV/V/Oe lớn hơn nhiều độ nhạy tiêu chuẩn (1 mV/V/Oe), với độ nhạy này có thể triển khai ứng dụng cảm biến trong việc đo lường từ trường thấp. 4. Thử nghiệm thành công một số ứng dụng trên cảm biến chế tạo được: - Cảm biến đo từ trường Trái đất: cảm biến NT-SS S3-18-sp, kích thước 10250 m2, tNiFe = 5 nm, cho độ nhạy lớn nhất: Sφ = 36,0 μV/độ. - Ứng dụng cảm biến sinh học: + Cảm biến NT-SS S2-6-sp (L = 3,2 mm, W = 150 μm, tNiFe = 5 nm) phát hiện từ độ giới hạn là 194×10-15 emu/m2; + Cảm biến đơn thanh S2-1-s (kích thước L = 4,0 mm, W = 150 μm, tNiFe = 5 nm) phát hiện được 4,5 pmol sợi đơn ADN đích trong đầu dò đặc hiệu của liên cầu khuẩn S. suis.2020-12-01T00:00:00ZNghiên cứu đặc trưng sắt điện của màng micro/nano BLT, PZT chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/1049
Title: Nghiên cứu đặc trưng sắt điện của màng micro/nano BLT, PZT chế tạo bằng phương pháp dung dịch định hướng ứng dụng cho bộ nhớ sắt điện
Authors: Đỗ Hồng, Minh
Abstract: Bằng phương pháp dung dịch, đã chế tạo thành công các màng mỏng sắt điện (PZT, BLT), màng mỏng làm điện cực (LNO, Pt), màng mỏng làm kênh dẫn (ITO) với chất lượng màng tốt, không nứt gãy, độ lặp lại cao. Khảo sát một cách có hệ thống sự ảnh hưởng của chiều dày, nhiệt độ ủ và phương pháp ủ đến tính chất của từng lớp màng đó. Khảo sát ảnh hưởng của các lớp màng mỏng điện cực, màng mỏng kênh dẫn và các loại đế đến tính chất sắt điện của các màng mỏng sắt điện PZT.
Thiết kế, chế tạo và khảo sát hoạt động của các bộ nhớ sắt điện FGT trên các loại đế SiO2/Si, pc-STO, sc-STO(111), thuỷ tinh với kích thước micro mét. Các đặc của bộ nhớ sắt điện (trưng lối ra, đặc trưng dòng thế, đặc trưng ID-VG, tỉ số dòng đóng mở…) đã được khảo sát. Kết quả cho thấy bộ nhớ sắt điện chế tạo trên đế sc-STO(111) có nhiều ưu điểm như cửa sổ ô nhớ nhỏ (khoảng 2V), tỉ số dòng đóng/mở lớn (106), dòng đóng nhỏ hơn 10-8 A, dòng mở bão hòa lớn ( 4,6 mA).
Trong nghiên cứu này, một kỹ thuật mới đã được thực hiện để chế tạo các bộ nhớ sắt điện có kích thước dưới 100 nm, có chiều dài kênh được xác định là 30, 50 và 100
nm, dựa trên phương pháp in litô chùm tia điện tử (EB), với sự hỗ trợ của kỹ thuật ăn mòn khô và tro hóa. Công nghệ này sẽ làm giảm kích thước, tăng mật độ nhớ của các bộ nhớ, thậm chí còn vài nano mét. Với kỹ thuật mới, tính chất của bộ nhớ sắt điện (kích thước dưới 100nm) chế tạo được có thể so sánh với tính chất của các bộ nhớ sắt điện có kích thước micro mét. Đặc biệt, tỷ lệ dòng đóng/mở khoảng 104-105, cửa sổ bộ nhớ là 2.0, 1.8 và 1.7 V, và độ linh động hạt tải là 0.12, 0.07 và 0.16 cm2V-1s-1 cho LDS là 100, 50 và 30 nm tương ứng.2019-04-30T00:00:00ZNghiên cứu, chế tạo điện cực nhạy khí của cảm biến điện hóa từ vật liệu nanô Perovskite LaMO3 (M = Mn, Fe, Ni, Co)
http://lib.uet.vnu.edu.vn/handle/123456789/991
Title: Nghiên cứu, chế tạo điện cực nhạy khí của cảm biến điện hóa từ vật liệu nanô Perovskite LaMO3 (M = Mn, Fe, Ni, Co)
Authors: Nguyễn Đức, Thọ
Abstract: • Hệ cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 thể hiện độ nhạy và chọn lọc cao với khí NO2 so với các khí NO, CO, C3H8 và CH4. Theo chiều tăng của nhiệt độ nung ủ, sự thay đổi điện áp V với khí NO2 của hệ cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 giảm nhanh tại nhiệt độ nung ủ Ts = 900 oC, sau đó tăng mạnh tới nhiệt độ Ts = 1300 oC và đạt cực đại tại nhiệt độ Ts = 1200 oC. Các đặc trưng thay đổi điện áp và độ chọn lọc có thể được giải thích là do quá trình nung ủ gây ra sự thay đổi các thông số như vi cấu trúc, độ xốp, hình thái và kích thước hạt của lớp oxit kim loại LaFeO3 và vùng biên của YSZ/oxit kim loại.
• Cảm biến điện hóa dựa trên điện cực LaFeO3 có độ chọn lọc và độ nhạy cao nhất với khí NO2 khi so sánh với các điện cực oxit perovskite sử dụng các kim loại chuyển tiếp 3d khác (Mn, Co và Ni). Đặc tính này của cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 có liên quan tới tương tác khí xúc tác hồi phục và độ dẫn điện thấp của oxit LaFeO3.
• Hệ cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaFeO3 với nhiệt độ nung ủ cao Ts = 1200 oC có độ nhạy đáng kể với khí NO2 ngay cả khi hoạt động ở nhiệt độ cao (650 oC), điều này là một ưu điểm cho ứng dụng trong môi trường có nhiệt độ cao.
• Các kết quả về nhạy khí NO2, NO, CO, C3H8 và CH4 của cảm biến Pt/YSZ/Pt-LaMO3 (với M = Mn, Fe, Co và Ni) khi được ủ tại nhiệt độ Ts = 1200 oC cho thấy liên quan chính đến kim loại chuyển tiếp 3d như về hóa trị, hoạt tính xúc tác khí, tính tương tác khí thuận nghịch và độ dẫn điện.2017-12-01T00:00:00Z